规格书 |
|
Rohs |
Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 |
1,500 |
晶体管类型 |
NPN - Darlington |
- 集电极电流(Ic)(最大) |
1.2A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) |
50V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC |
1.5V @ 2mA, 1A |
电流 - 集电极截止(最大) |
- |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE |
4000 @ 1A, 5V |
功率 - 最大 |
1W |
频率转换 |
- |
安装类型
|
Through Hole |
包/盒
|
TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
供应商器件封装 |
TO-226 |
包装材料
|
Bulk |
包装 |
3TO-226 |
配置 |
Single |
类型 |
NPN |
最大集电极发射极电压 |
50 V |
峰值直流集电极电流 |
1.2 A |
最小直流电流增益 |
25000@200mA@5V|15000@500mA@5V|4000@1A@5V |
最大集电极发射极饱和电压 |
1@2mA@200mA|1.5@2mA@1A V |
最大集电极基极电压 |
60 V |
安装 |
Through Hole |
标准包装 |
Bulk |
电流 - 集电极( Ic)(最大) |
1.2A |
晶体管类型 |
NPN - Darlington |
安装类型 |
Through Hole |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 |
1.5V @ 2mA, 1A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) |
50V |
供应商设备封装 |
TO-226 |
封装 |
Bulk |
功率 - 最大 |
1W |
封装/外壳 |
TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 |
4000 @ 1A, 5V |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) |
1.5V @ 2mA, 1A |
晶体管类型 |
NPN - Darlington |
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) |
4000 @ 1A, 5V |
封装/外壳 |
TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
功率 - 最大值 |
1W |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) |
1.2A |
电压 - 集射极击穿(最大值) |
50V |