1. TN6725A
  2. TN6725A

图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

TN6725A 

产品描述

NPN DARL MLITHIC, DBL-DIFF, SI

内部编号

3-TN6725A

#1

数量:10001
最小起订金额:¥1575
马来西亚吉隆坡
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

TN6725A产品详细规格

规格书 TN6725A datasheet 规格书
TN6725A datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,500
晶体管类型 NPN - Darlington
- 集电极电流(Ic)(最大) 1.2A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 1.5V @ 2mA, 1A
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 4000 @ 1A, 5V
功率 - 最大 1W
频率转换 -
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供应商器件封装 TO-226
包装材料 Bulk
包装 3TO-226
配置 Single
类型 NPN
最大集电极发射极电压 50 V
峰值直流集电极电流 1.2 A
最小直流电流增益 25000@200mA@5V|15000@500mA@5V|4000@1A@5V
最大集电极发射极饱和电压 1@2mA@200mA|1.5@2mA@1A V
最大集电极基极电压 60 V
安装 Through Hole
标准包装 Bulk
电流 - 集电极( Ic)(最大) 1.2A
晶体管类型 NPN - Darlington
安装类型 Through Hole
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 1.5V @ 2mA, 1A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
供应商设备封装 TO-226
封装 Bulk
功率 - 最大 1W
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 Long Body
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 4000 @ 1A, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 1.5V @ 2mA, 1A
晶体管类型 NPN - Darlington
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 4000 @ 1A, 5V
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 Long Body
功率 - 最大值 1W
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 1.2A
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V

TN6725A系列产品

TN6725A相关搜索

订购TN6725A.产品描述:NPN DARL MLITHIC, DBL-DIFF, SI. 生产商: fairchild semiconductor.芯天下有低价

咨询QQ

综合类:

热线电话

  • 北京
  • 010-82149921
    010-82149488
    010-62155488
    010-57196138
    010-82149008
  • 深圳
  • 0755-83247615
    0755-82511472
    0755-83997440
    0755-83975736
  • 苏州
  • 0512-67683728
    0512-67687578
    0512-67684200
    0512-68796728
  • 传真
  • 010-62178897;  0755-83995470;
  • 邮件: rfq@oneic.com